LATTICE POSITIONS OF IMPLANTED IONS IN SILICON-CRYSTALS

被引：12

作者：

FRERICHS, HP

KALBITZER, S

机构：

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1984年 / 83卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1080/00337578408215797

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：135 / 143

页数：9

共 12 条

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