RADIATION HARD CMOS-SOS STANDARD CELL CIRCUITS

被引：5

作者：

PALKUTI, LJ

PRYOR, R

机构：

[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375

[2] RCA,CAMDEN,NJ 08102

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1976年 / 23卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328567

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1715 / 1719

页数：5

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共 9 条

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