PERFORMANCE LIMITS OF CMOS ULSI

被引：11

作者：

PFIESTER, JR ^{[1
]}

SHOTT, JD ^{[1
]}

MEINDL, JD ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,DEPT ELECT ENGN,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1985.1052301

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：253 / 263

页数：11

共 35 条

[1]

BACCARINI G, 1984, IEEE T ELECT DEV APR, P452

[2]

BREWS J, 1979, IEEE T ELECTRON SEP, P1282

[3]

BREWS JR, 1980, IEEE ELECTR DEVICE L, P2

[4]

BROERS A, 1980, DEC IEDM, P2

[5]

BURNS JR, 1964, RCA REV, P627

[6]

GREENFIELD J, 1980, IEEE T ELECTRON AUG, P1520

[7]

GRINOLDS H, 1982, DEC IEDM, P42

[8]

Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI

[9]

HART P, 1979, IEEE T ELECTRON APR, P421

[10]

Hodges D. A., 1981, 1981 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers, P42