RECENT RESULTS OBTAINED WITH HIGH FIELD INTERNALLY AMPLIFYING SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTORS

被引：31

作者：

HUTH, GC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1966.4323942

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：36 / +

页数：1

共 7 条

HALL, RN ;

RACETTE, JH .

HUTH, GC ;

TRICE, JB ;

SHANNON, JA ;

MCKINNEY, RA .

[3] STABLE, HIGH FIELD SILICON P-N JUNCTION RADIATION DETECTORS [J].

HUTH, GC ;

BERGESON, HE ;

TRICE, JB .

HUTH, GC ;

MCKINNEY, RA ;

TRICE, JB .

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