CHARACTERISTICS OF SUB-HALF-MICROMETRE-GATE SELF-ALIGNED GAAS-FET BY ION-IMPLANTATION

被引：1

作者：

MATSUMOTO, K

HASHIZUME, N

ATODA, N

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 22期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840639

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：940 / 942

页数：3

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共 3 条

[1]

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