ANALYSIS AND EXPERIMENTATION ON FIMOS (N-CHANNEL FAMOS) DEVICES

被引：7

作者：

HAGIWARA, T ^{[1
]}

TAKEDA, E ^{[1
]}

HORIUCHI, M ^{[1
]}

KONDO, R ^{[1
]}

ITOH, Y ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1977年 / 16卷

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.16S1.211

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：211 / 214

页数：4

相关论文

共 4 条

[1] GEAR G, 1976, RELIABILITY PHYSICS
[2] LEE GA, 1964, PHYS REV, V134, pA761
[3] ELECTRICALLY REPROGRAMABLE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
TARUI, Y
NAGAI, K
HAYASHI, Y
[J]. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1972, SC 7 (05) : 369 - &
[4] TARUI Y, 1972, J JAP SOC APPL PHY S, V41, P155