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THE PRODUCTION OF CI-OI COMPLEXES DURING IRRADIATION OF CZOCHRALSKI SILICON AT 130-K
被引：14
作者：
CHAPPELL, SP
CLAYBOURN, M
NEWMAN, RC
BARRACLOUGH, KG
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/10/015
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：1047 / 1051
页数：5
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