HIGH-DENSITY AND REDUCED LATCHUP SUSCEPTIBILITY CMOS TECHNOLOGY FOR VLSI

被引：7

作者：

MANOLIU, J

TSENG, FH

WOO, BJ

MEIER, TJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25716

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：233 / 235

页数：3

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共 7 条

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