HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR MODELING FOR CIRCUIT SIMULATION

被引：2

作者：

GOUGH, RG

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1982年 / 17卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1982.1051795

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：666 / 670

页数：5

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共 3 条

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