HIGH-PERFORMANCE GAAS METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

被引：1

作者：

FLEMING, PL

MEULENBERG, A

CARLSON, HE

机构：

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25497

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页数：2

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共 2 条

[1] PRUNIAUX B, 1972, IEEE T ELECTRON DEVI, V19
[2] Wood E. J., 1976, International Electron Devices Meeting. (Technical digest), P90