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THE GROWTH OF SINGLE DOMAIN GAAS FILMS ON DOUBLE DOMAIN SI(001) SUBSTRATES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：32
作者：
KAWANAMI, H
HATAYAMA, A
NAGAI, K
HAYASHI, Y
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
03期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L173
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L173 / L175
页数：3
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