STUDY OF INTERACTION OF POINT-DEFECTS WITH DISLOCATIONS IN SILICON BY MEANS OF IRRADIATION IN AN ELECTRON-MICROSCOPE

被引：26

作者：

FEDINA, LI

ASEEV, AL

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1986年 / 95卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210950220

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：517 / 529

页数：13

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[1]

ASAHI H, 1981, DEFECTS RAD EFF SEMI, P455

[2]

ASEEV AL, 1982, FIZ TVERD TELA+, V24, P2037

[3]

ASEEV AL, 1985, POVERKH FIZ KHIM MEK, V10, P70

[4]

BOLOTOV VV, 1977, FIZ PROTSESS V OBLUC

[5]

CORBIN A, 1975, ENDOCR RES COMMUN, V2, P1

[6]

FRIEDEL J, 1964, DISLOCATIONS, pCH5

[7]

HIRSCH PB, 1965, ELECTRON MICROSCOPY

[8]

KRIVANEK OL, 1978, APPL PHYS LETT, V35, P451

[9]

Lanno M., 1981, POINT DEFECTS SEMICO

[10]

Lucas Ch., 1979, DEFECTS RAD EFFECTS, P551