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S-PARAMETER CHARACTERIZATION OF GAAS GATE SISFETS AT LIQUID-NITROGEN TEMPERATURES
被引:4
作者
:
KWARK, Y
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KWARK, Y
SOLOMON, P
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SOLOMON, P
LATULIPE, D
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LATULIPE, D
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS : IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS
|
1989年
关键词
:
D O I
:
10.1109/CORNEL.1989.79837
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:208 / 217
页数:10
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