S-PARAMETER CHARACTERIZATION OF GAAS GATE SISFETS AT LIQUID-NITROGEN TEMPERATURES

被引:4
作者
KWARK, Y
SOLOMON, P
LATULIPE, D
机构
来源
PROCEEDINGS : IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS | 1989年
关键词
D O I
10.1109/CORNEL.1989.79837
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:208 / 217
页数:10
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