TUNNELING OF ELECTRONS FROM SI INTO THERMALLY GROWN SIO2

被引：185

作者：

WEINBERG, ZA ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90027-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：11 / 18

页数：8

共 32 条

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