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SEMIINSULATING INP CO-DOPED WITH TI AND HG
被引：19
作者：
LAMBERT, B
TOUDIC, Y
GRANDPIERRE, G
GAUNEAU, M
DEVEAUD, B
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/2/2/002
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：5
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