FAR-INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY IN PHOSPHORUS DOPED N-TYPE SILICON IN INTERMEDIATE IMPURITY CONCENTRATION REGION UNDER UNIAXIAL COMPRESSIONAL STRESS

被引：4

作者：

KINOSHITA, J ^{[1
]}

YAMANOUCHI, C ^{[1
]}

YOSHIHIRO, K ^{[1
]}

机构：

[1] ELECTROTECH LAB, TANASHI, TOKYO, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.36.1493

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1493 / 1493

页数：1