THE INFLUENCE OF STRAIN ON THE SMALL-SIGNAL GAIN AND LASING THRESHOLD OF GAINAS/GAAS AND GAAS/GAINALAS STRAINED LAYER QUANTUM WELL LASERS

被引：4

作者：

FEAK, G

NICHOLS, D

SINGH, J

LOEHR, J

PAMULAPATI, J

BHATTACHARYA, P

BISWAS, D

机构：

来源：

PROCEEDINGS : IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS | 1989年

关键词：

D O I：

10.1109/CORNEL.1989.79854

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：362 / 372

页数：11