LOW-FIELD GALVANOMAGNETIC TRANSPORT AT AN N-ALGAAS/GAAS HETEROJUNCTION .2. PREDICTIONS

被引：2

作者：

VASSELL, MO

LEE, J

机构：

[1] GTE Lab Inc, Waltham, MA, USA, GTE Lab Inc, Waltham, MA, USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/2/6/005

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：7