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DLTS STUDY OF ELECTRON TRAPS IN NORMAL-GAAS GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY USING TRIETHYLGALLIUM AND ASH3
被引：4
作者：
KANAMOTO, K
KIMURA, K
HORIGUCHI, S
MIHARA, M
ISHII, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
04期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L242
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L242 / L245
页数：4
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