SPACE-CHARGE-LIMITED CURRENTS IN HIGH-RESISTIVITY P-TYPE SILICON

被引：2

作者：

HAGENLOCHER, AK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754873

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：119 / +

页数：1

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共 3 条

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