SPACE-CHARGE-LIMITED CURRENTS IN HIGH-RESISTIVITY P-TYPE SILICON

被引:2
作者
HAGENLOCHER, AK
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1754873
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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共 3 条
[1]  
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[2]   THE FORWARD CHARACTERISTIC OF THE PIN DIODE [J].
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