RESONANT RAMAN-SCATTERING IN GAALAS - 1ST ORDER ACTIVE AND DISORDER ACTIVATED PHONON LINES - THEORY OF THE IR DIELECTRIC SUSCEPTIBILITY

被引：6

作者：

JUSSERAND, B

BONNEVILLE, R

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 117卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90530-2

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：365 / 367

页数：3

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共 3 条

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[J]. JOURNAL DE PHYSIQUE, 1981, 42 (NC6): : 43 - 45
[3] TSU R, 1972, 11TH P INT C PHYS SE, P1135