RESONANCE EFFECTS OBSERVED AT ONSET OF FOWLER-NORDHEIM TUNNELING IN THIN MOS STRUCTURES

被引：23

作者：

PETERSSON, GP ^{[1
]}

SVENSSON, CM ^{[1
]}

MASERJIAN, J ^{[1
]}

机构：

[1] CHALMERS UNIV TECHNOL,RES LAB ELECTR,GOTHENBURG,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90047-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：449 / 451

页数：3

共 6 条

[1]

ABRAMOWITZ M, NBS APPL MATH SER 55

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[6]

MASERJIAN J, 1974, APPL PHYS LETT, V1