MODEL FOR REACH-THROUGH AVALANCHE PHOTODIODES (RAPDS)

被引：28

作者：

KANEDA, T ^{[1
]}

MATSUMOTO, H ^{[1
]}

YAMAOKA, T ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS,NAKAHARA KU,KAWASAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.323107

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3135 / 3139

页数：5

共 6 条

GRANT, WN .

[2] EXCESS NOISE IN SILICON AVALANCHE PHOTODIODES [J].

KANEDA, T ;

MATSUMOTO, H ;

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YAMAOKA, T .

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WIEGMANN, W ;

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