PRECIPITATION OF IMPLANTED XENON IN SILICON

被引：23

作者：

TEMPLIER, C

BOUBEKER, B

GAREM, H

MATHE, EL

DESOYER, JC

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1985年 / 92卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210920222

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：511 / 516

页数：6

共 11 条

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