RADIATION-DAMAGE OF GALLIUM-ARSENIDE INDUCED BY REACTIVE ION ETCHING

被引：34

作者：

HARA, T ^{[1
]}

SUZUKI, H ^{[1
]}

SUGA, A ^{[1
]}

TERADA, T ^{[1
]}

TOYODA, N ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP,VLSI RES CTR,SAIWAI KU,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1987年 / 62卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.339125

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：4109 / 4113

页数：5

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共 3 条

[1] CHU WK, 1978, BACKSCATTERING SPECT, P255
[2] HARA T, 1985, 16TH P S ION IMPL SU, P169
[3] Sze S. M., 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P246