HREM EXAMINATION OF ER ION-IMPLANTED IN SI

被引:1
作者
YAN, Y
LI, Q
FENG, D
WANG, P
SUN, HL
机构
[1] NANJING UNIV,DEPT PHYS,NANJING,PEOPLES R CHINA
[2] CHINESE ACAD SCI,INST SEMICOND,BEIJING,PEOPLES R CHINA
[3] CHINESE ACAD SCI,CTR MICRELEECTR,BEIJING,PEOPLES R CHINA
关键词
D O I
10.1016/0167-577X(89)90049-9
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页数:4
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