RAPID DIRECT WRITING OF HIGH-ASPECT-RATIO TRENCHES IN SILICON

被引：18

作者：

TREYZ, GV

BEACH, R

OSGOOD, RM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.98178

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：475 / 477

页数：3

共 5 条

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