MODULATION OF DRAIN CURRENT BY HOLES GENERATED BY IMPACT IONIZATION IN GAAS-MESFET

被引：10

作者：

FUJISHIRO, HI

INOKUCHI, K

NISHI, S

SANO, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1989年 / 28卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.28.L1734

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1734 / L1736

页数：3

共 6 条

[1]

FUJISHIRO HI, 1988, JPN J APPL PHYS 2, V27, pL1742

[2]

INOKUCHI K, 1987, 1987 IEEE GAAS IC S, P117

KATO, K ;

WADA, T ;

TANIGUCHI, K .

[4]

NAKAMURA H, 1983, ISSCC DIG TECH PAP I, V26, P134

TIHANYI, J ;

SCHLOTTERER, H .

[6]

ZEGHBROECK BJV, 1987, IEEE ELECTRON DEVICE, V8, P188