ANNEALING BEHAVIOR OF DAMAGE INTRODUCED IN GAAS BY REACTIVE ION-BEAM ETCHING

被引：7

作者：

YAMANE, Y

YAMASAKI, K

MIZUTANI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1982年 / 21卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.21.L537

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：L537 / L538

页数：2

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共 2 条

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