BARRIER HEIGHT IN INDIRECT BANDGAP ALGAAS/GAAS HETERO-JUNCTION DETERMINED WITH N-SEMICONDUCTOR INSULATOR SEMICONDUCTOR DIODES

被引：13

作者：

MAEZAWA, K

MIZUTANI, T

YANAGAWA, F

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1986年 / 25卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L557

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L557 / L559

页数：3