THRESHOLD VOLTAGE OF NARROW CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：50

作者：

KROELL, KE ^{[1
]}

ACKERMAN, GK ^{[1
]}

机构：

[1] IBM DEUTSCHLAND GMBH,COMPONENT DEV,SCHOENAICHER STR 220,703 BOEBLINGEN,FED REP GER

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1976年 / 19卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90136-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：77 / 81

页数：5

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共 7 条

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