EFFECT OF COMPENSATION ON BREAKDOWN FIELDS IN HOMOGENEOUS SEMICONDUCTORS

被引:31
作者
COHEN, ME
LANDSBERG, PT
机构
来源
PHYSICAL REVIEW | 1967年 / 154卷 / 03期
关键词
D O I
10.1103/PhysRev.154.683
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
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