DEEP ELECTRON TRAPS IN UNDOPED SEMI-INSULATING GAAS GROWN BY THE LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI METHOD

被引：8

作者：

IMAMURA, Y

OSAKA, J

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1983年 / 22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.22.L333

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L333 / L335

页数：3

共 5 条

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