FABRICATION OF POLYSILICON GATE FET IN LASER MELTED SILICON ON SILICON DIOXIDE ON PLZT

被引：1

作者：

BURGENER, ML ^{[1
]}

LIN, TH ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF SAN DIEGO,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,LA JOLLA,CA 92093

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870260

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2