INTERFACIAL ELECTROMIGRATION OF ALUMINUM IN THIN-FILM POLYSILICON SILICIDE STRUCTURES

被引：4

作者：

LLOYD, JR

SULLIVAN, MJ

JOZWIAK, JL

MURPHY, RJ

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1984年 / 44卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.94555

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：68 / 70

页数：3

相关论文

共 2 条

[1] LLOYD JR, 1983, 21ST P ANN REL PHYS
[2] LOYD JR, 1982, 20TH P ANN REL PHYS