AN EFFICIENT NUMERICAL-MODEL OF CMOS LATCH-UP

被引：12

作者：

PINTO, MR

DUTTON, RW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25784

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：414 / 417

页数：4

共 10 条

[1]

ANTONIADIS DA, 1978, 50192 STANF EL LABS

BUTURLA, EM ;

COTTRELL, PE ;

GROSSMAN, BM ;

SALSBURG, KA .

[3]

ESTREICH DB, 1980, G2019 STANF EL LABS

[4] LATCH-UP IN CMOS INTEGRATED-CIRCUITS [J].

GREGORY, BL ;

SHAFER, BD .

[5]

HU GJ, 1982, JUN DEV RES C

[6]

PRICE CH, 1982, THESIS STANFORD U ST

[7]

RUNG RD, 1982, P S VLSI TECH

[8] A TRANSIENT ANALYSIS OF LATCHUP IN BULK CMOS [J].

TROUTMAN, RR ;

ZAPPE, HP .

[9]

Wieder A. W., 1981, International Electron Devices Meeting, P354

[10]

YU Z, 1982, G20112 STANF EL LABS