MONOLITHIC GAAS-MESFET POWER SENSOR MICROSYSTEM

被引：28

作者：

LALINSKY, T ^{[1
]}

KUZMIK, J ^{[1
]}

PORGES, M ^{[1
]}

HASCIK, S ^{[1
]}

MOZOLOVA, Z ^{[1
]}

GRNO, L ^{[1
]}

机构：

[1] APPL PRECIS LTD,BRATISLAVA 82104,SLOVAKIA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1995年 / 31卷 / 22期

关键词：

MESFETS; POWER MEASUREMENT; MICROMACHINING;

D O I：

10.1049/el:19951295

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

The authors present the principle, technology and properties of a novel power sensor microsystem designed for very precise power measurement in a broad frequency range. Bulk micromachining technology on GaAs was implemented to obtain the desired parameters of the sensor.

引用

页码：1914 / 1915

页数：2