DETERMINATION OF THE INTERFACE STRUCTURE OF AGGASE2/(100)-GAAS EPITAXIAL LAYERS BY MEANS OF RHEED AND ETCHING METHODS

被引：2

作者：

TEMPEL, A

机构：

来源：

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY | 1985年 / 20卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1002/crat.2170200730

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：K84 / K85

页数：2

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共 3 条

[1] VAPOR PRESSURES AND PHASE EQUILIBRIA IN GA-AS SYSTEM [J].

ARTHUR, JR .

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1967, 28 (11) :2257-&

[2]

PAULING L, 1964, NATUR CHEM BINDUNG

[3]

SCHUMANN B, UNPUB THIN SOLID FIL