ON THE MEASUREMENT OF CROSS-SECTIONAL RESISTIVITY VARIATION ON SEMICONDUCTOR CRYSTALS

被引：3

作者：

GERGELY, G

HANTAY, O

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1962年 / 5卷 / NOV-D期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(62)90133-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：416 / 417

页数：2

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共 2 条

[1] CROSS-SECTIONAL RESISTIVITY VARIATIONS IN GERMANIUM SINGLE CRYSTALS [J].

DIKHOFF, JAM .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1960, 1 (03) :202-&

[2] RESISTIVITY MEASUREMENTS ON GERMANIUM FOR TRANSISTORS [J].

VALDES, LB .

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1954, 42 (02) :420-427