FABRICATION OF INDEX-GUIDED ALGAAS MQW LASERS BY SELECTIVE DISORDERING USING BE FOCUSED ION-BEAM IMPLANTATION

被引：16

作者：

ISHIDA, K

TAKAMORI, T

MATSUI, K

FUKUNAGA, T

MORITA, T

MIYAUCHI, E

HASHIMOTO, H

NAKASHIMA, H

机构：

[1] Optoelectronics Joint Research Lab, Kawasaki, Jpn, Optoelectronics Joint Research Lab, Kawasaki, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L783

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L783 / L785

页数：3