TIME-DEPENDENT STRENGTH OF SILICONIZED SILICON-CARBIDE UNDER STRESS AT 1000-DEGREES-C AND 1100-DEGREES-C

被引：10

作者：

CARROLL, DF

TRESSLER, RE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1111/j.1151-2916.1985.tb09653.x

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：143 / 146

页数：4

共 15 条

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