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BIATOMIC LAYER-HIGH STEPS ON SI(001)2X1 SURFACE
被引：48
作者：
NAKAYAMA, T
TANISHIRO, Y
TAKAYANAGI, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
04期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L280
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L280 / L282
页数：3
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