共 2 条
- [1] STABLE, HIGH FIELD SILICON P-N JUNCTION RADIATION DETECTORS[J]. REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1963, 34 (11) : 1283 - &HUTH, GCBERGESON, HETRICE, JB
- [2] MCKAY KG, 1953, PHYS REV, V91, P1034
INTERNAL PULSE AMPLIFICATION IN SILICON P-N JUNCTION RADIATION DETECTION JUNCTIONS
被引：17
作者：
HUTH, GC
MCKINNEY, RA
TRICE, JB
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.1719002
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要：
引用
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页码：1220 / &
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