NOVEL DIFFUSION PHENOMENON OF DOPANTS IN SILICON AT LOW-TEMPERATURES - COMMENT

被引：3

作者：

RONSHEIM, PA

TEJWANI, M

机构：

[1] IBM Technology Products, Hopewell Junction

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.71.947

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：947 / 947

页数：1

相关论文

共 4 条

[1]

ISHITANI A, 1992, 8TH P INT C SIMS, P315

[2]

KAREN A, 1992, 8TH P INT C SIMS, P339

[3] SILICIDE FORMATION AND DOPANT DIFFUSION IN SILICON [J].

WITTMER, M ;

FAHEY, P ;

COTTE, J ;

IYER, SS ;

SCILLA, GJ .

PHYSICAL REVIEW B, 1992, 45 (19) :11383-11386

WITTMER, M ;

FAHEY, P ;

SCILLA, GJ ;

IYER, SS ;

TEJWANI, M .