SOURCE CONTAMINATION EFFECTS ON EPITAXY OF GE FILMS ON GE

被引：11

作者：

DAVEY, JE

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1965年 / 2卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1492392

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：12 / &

共 24 条

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