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CONDUCTION-BAND EDGE DISCONTINUITY OF IN0.52GA0.48AS/IN0.52(GA1-XALX)0.48AS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-1) HETEROSTRUCTURES
被引：70
作者：
SUGIYAMA, Y
INATA, T
FUJII, T
NAKATA, Y
MUTO, S
HIYAMIZU, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
08期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L648
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L648 / L650
页数：3
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