A THEORY OF MIGRATION ENERGIES OF AN INTERSTITIAL IN GERMANIUM AND SILICON

被引：38

作者：

HASIGUTI, RR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.21.1927

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1927 / &

共 13 条

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