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CHROMIUM-DOPED P-TYPE SEMI-INSULATING INP
被引：6
作者：
TOUDIC, Y
LAMBERT, B
COQUILLE, R
GRANDPIERRE, G
GAUNEAU, M
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/5/008
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：464 / 468
页数：5
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