SILICON-ON-INSULATOR CMOS TRANSISTORS IN DUAL ELECTRON-BEAM RECRYSTALLIZED POLYSILICON

被引：8

作者：

HOPPER, GF ^{[1
]}

DAVIS, JR ^{[1
]}

MCMAHON, RA ^{[1
]}

AHMED, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CAMBRIDGE,DEPT ENGN,CAMBRIDGE CB2 1PZ,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840347

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：500 / 501

页数：2

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共 3 条

[1] CULLEN GW, 1983, J CRYSTAL GROWTH, V63
[2] DAVIS JR, 1983, MATERIALS RES SOC P, V13, P563
[3] DAVIS JR, 1983, J PHYSIQUE C, V5, P337