NUCLEAR-RESONANCE PROFILING OF HIGH-DOSE IMPLANTS OF AL IN SI

被引：4

作者：

NAMAVAR, F ^{[1
]}

BUDNICK, JI ^{[1
]}

SANCHEZ, FH ^{[1
]}

OTTER, FA ^{[1
]}

机构：

[1] UNITED TECHNOL RES CTR,E HARTFORD,CT 06108

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90581-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：357 / 360

页数：4

共 8 条

[1] ANOMALOUSLY HIGH COLLECTION OF COPPER IONS IMPLANTED IN ALUMINIUM
ARMINEN, E
FONTELL, A
LINDROOS, VK
[J]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1971, 4 (03): : 663 - &
[2] Burenkov A.F., 1980, TABLES PARAMETERS SP
[3] KENDALL MG, 1969, ADV THEORY STATISTIC, V1
[4] LIAU ZL, 1983, SURFACE MODIFICATION, P10
[5] LIAU ZL, 1978, J VAC SCI TECHNOL, V15, P1
[6] MATSUNAMI N, 1983, INTERNAL REPORT NAGO
[7] NAMAVAR F, 1984, MAT RES SOC S P, V27, P341
[8] NAMAVAR F, 1984, MAT RES SOC S P, V27, P347